La quinta generación HEXFETSs de International Rectifier utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones.
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales con niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Más información en la hoja de datos adjunta en las imágenes
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales con niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
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